细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
多晶硅粉碎污染杂质纯度
半导体硅材料的杂质及其纯度计算参考网
不同行业的硅材料应用，决定了硅材料的纯度要求。多晶硅相关国家标准GB/T 12963—2014《电子级多晶硅》和GB/T 25074—2017《太阳能级多晶硅》， 展开2015年11月29日 ICP 及 ICP—MS (O~ 感耦合等离 子体质谱法 ) 是近些年 广泛运用 于多晶硅研究的检测方法 ．可以快速 同时测 定多种金 属 和非 金属元 素是其最为 突 的特点 ．其检测 限 浅谈多晶硅中杂质的含量分布及检测论文 道客巴巴摘要： 多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一 ， 由于其杂质组成复杂、 含量低于常规检测方法检出限， 这就使对多晶硅中杂质含量、 分布及检测方法的研究具有 多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库2018年3月6日 与冶金级硅材料相比，用于太阳能行业的多晶硅具有显着更高的纯度，通常为99999％或以上的纯度。 残留物是杂质，如C，O和微量元素，如Fe，Cu，Ni等。单晶硅/多晶硅微量杂质元素ppb测定检测资讯嘉峪检测网从硅材料的应用研究方向出发,参考GB/T 12963—2014《电子级多晶硅》,以众多科研工作者的研究为基础,综合考虑基体金属、表面金属、电阻率、碳浓度和氧浓度,对半导体硅材料纯度的影响, 半导体硅材料的杂质及其纯度计算 维普期刊官网2017年6月27日 我们报告了一个关于高性能多晶硅中杂质的国家项目的结果：污染源、传输路线、与晶体缺陷的相互作用以及对太阳能电池效率参数的影响。 在实验室规模的熔炉中生产了 高性能多晶硅中的杂质控制,Physica Status Solidi (A) X
多晶硅检测【CMA/CNAS认证】中科光析科学技术研究所
2025年3月10日 本文系统解析多晶硅检测的核心项目、方法及行业标准（SEMI、GB、ASTM），涵盖原料纯度、晶体缺陷及电学性能评估，提供全流程技术指南。 一、核心检测项 2024年3月13日 级多晶硅切割废料中的杂质，提高 其纯度。在最佳条件下，酸洗除杂效果显著，多晶硅的纯度可达到9999%。该研究为太阳能级多晶硅切割废料 的处理提供了新的方法， 太阳能级多晶硅切割废料的酸洗除杂研究 豆丁网2019年12月18日 在本研究中，通过结合使用多种分析工具，包括二次电离质谱 (SIMS)、激光微波光导衰减 (microPCD) 和电感耦合等离子体质谱 (ICPMS)，金属杂质在单声道中进行了测 单晶和多晶硅中的金属杂质及其磷扩散吸杂 XMOL2024年4月7日 冶金法的主要工艺是选择纯度较好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，除去硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中除去硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，之后除 【原创】 太阳能级多晶硅生产工艺现状与发展 中国 2024年2月27日 电子级多晶硅是指纯度在9N（硅含量99%）以上的多晶硅产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料 与进一步加工，但其过大的表面积使得其在生产加工的过程中与空气接触较为频繁，易受到污染，一般情况下纯度 多晶硅：晶硅光伏核心原材料 百家号2011年9月13日 硅光伏电池衬底的杂质含量对电池性能起决定 性作用。合格衬底中，除c、O、H三种杂质外，B、P、Fe、Ca、Ti、m、C、Na等杂质浓度应低于1．0×10一。其他杂质浓度应低于1．0×10一，这种纯度多晶硅 称为太阳能级硅(SOG—Si)。工业金属硅的纯度约为冶金法制备太阳能级多晶硅的原理
从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程
2021年3月26日 首先，将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中，由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块（lump）状以便于熔融。硅的熔点大约为1420℃，因此炉内要用石墨隔热材料，炉壁要用水冷等隔热散热。2023年5月27日 中国粉体网讯 当前，在光伏多晶硅原料的生产行业中，大多采用的是改良西门子法生产工艺，改良西门子法主要涉及5个环节，提纯以及尾气回收、其他氢化物的分离、硅合成、还原等技术，经过改良之后的方法具备安全性，能够制备高纯度的多晶硅，和其他方法相比，转换 光伏多晶硅料为何需要破碎？如何破碎？ 中国粉体网酸洗法：冶炼级硅粉碎后用酸洗去金属杂质， 再以真空蒸除水份，提高硅纯度。 鼓泡法：将氯气和氧的混合气体吹入熔硅， 硅中多数金属杂质能与氯反应生成易挥发的 卤化物，达到提纯的目的。然后再鼓入氩气 以赶走剩余的氯 第4章单晶硅及其杂质和缺陷 百度文库用于制造经分级的髙纯度多晶硅碎片的方法和装置絲领^本发明涉及用于制造经分级的高纯度多晶硅的方法和装置。背景技术高纯度多晶硅，下称多晶硅，尤其用作制造电子器件和太阳能电池的起始材料。它通过含硅气体或含硅气体混合物的热分解而获得。该方法称为化学气相沉积(CVD)。在大 用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法和装置的制作方法酸洗法：冶炼级硅粉碎后用酸洗去金属杂质， 再以真空蒸除水份，提高硅纯度。 鼓泡法：将氯气和氧的混合气体吹入熔硅， 硅中多数金属杂质能与氯反应生成易挥发的 卤化物，达到提纯的目的。然后再鼓入氩气 以赶走剩余的氯 第4章单晶硅及其杂质和缺陷 百度文库2021年3月23日 为引发该反应的发生，炉内要加热至1500℃以上。这样得到的冶金级硅中由于仍含有铝（Al）、铁（Fe）及其他金属等杂质，纯度一般在98%左右，仍然不适于单晶硅的制造。因此，需要以下的反应进一步提高硅的纯度。每一个步骤提高纯度的原理。从硅石到金属硅再到高纯度硅的制作工艺 百家号
多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库
多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨摘要： 多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一 ， 由于其杂质组成复杂、 含量低于常规检测方法检出限， 这就使对多晶硅中杂质含量、 分布及检测方法的研究具有重要意 义。2024年7月13日 瓦克多晶硅业务部门是半导体用超纯硅的领军供应商。 全世界几乎每两块微芯片中，就有一块是用瓦克多晶硅生产而成的。鉴于半导体生产商对多晶硅纯度的要求越来越高，瓦克决定在博格豪森生产基地投资扩建多晶硅提纯设备，提高工作效率。纯上加纯——瓦克多晶硅 世强硬创平台2024年2月27日 （报告作者：国泰君安分析师张航、刘鸿儒）作为工业硅最主要的下游，多晶硅期货即将挂牌上市，本篇报告为多晶硅期货上市预热报告首篇，主要从多晶硅概念、性质、生产工艺等角度进行展开，帮助投资者们进一步了解 多晶硅：晶硅光伏核心原材料 （报告作者：国泰君安 2024年7月3日 主要工艺是：选择纯度较好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除B杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表 。国内多晶硅生产工艺研究现状 百家号2019年3月21日 多晶硅主要的生产工艺，是通过工业硅与气态氯化氢的反应，将其转化为由 三氯氢硅、四氯化硅、二氯氢硅、聚氯硅烷、金属杂质等组成的混合蒸汽并将其冷凝，用精馏的方法从冷凝液中分离出高纯度的三氯氢硅，再将汽化的三氯氢硅，与氢气按一定比例混合引入光伏行业—多晶硅生产过程中的废气处理 知乎酸洗法：冶炼级硅粉碎后用酸洗去金属杂质， 再以真空蒸除水份，提高硅纯度。 鼓泡法：将氯气和氧的混合气体吹入熔硅， 硅中多数金属杂质能与氯反应生成易挥发的 卤化物，达到提纯的目的。然后再鼓入氩气 以赶走剩余的氯 第4章单晶硅及其杂质和缺陷 百度文库
多晶硅硅料生产工艺ppt 64页 原创力文档
2018年7月8日 多晶硅硅料生产工艺ppt,硅材料科学与技术 授课老师：刘仪柯 单位： 新余高等专科学校太阳能科学与工程系 工业硅的生产 高纯多晶硅的生产 太阳电池分类 太阳电池按其材料主要可分为四种类型： (1)硅太阳电池；(2)多元化合物薄膜太阳电池；(3)有机物太阳电池；(4)纳米晶太 2022年3月7日 目前，光伏行业是多晶硅使用量最大的行业领域，太阳能级多晶硅对杂质有严格的要求，通常要求多晶硅的纯度需达到999999%以上，尤其是对其硼、磷元素的要求控制尤为严格，高纯多晶硅的制备是光伏产业链中技术含量较高的环节，处于光伏产业链的最上游。一文读懂多晶硅及其产业形势生产SiHCl能级Refreshing too often Verification Code will refresh in 2 sec【硅峰会】专家干货：多晶硅生产技术现状和发展趋势2024年8月1日 电子级多晶硅是指纯度在9N（硅含量99%）以上的多晶硅产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料 与进一步加工，但其过大的表面积使得其在生产加工的过程中与空气接触较为频繁，易受到污染，一般情况下纯度 光伏多晶硅专题研究 多晶硅定位：晶硅光伏产业链中最重要的 2024年10月28日 简介：采用高纯度的SiO2进行电解，该工艺以高纯度的氟硅酸钠为主要原材料，通过熔盐电解法制得高纯度的多晶硅。 工艺：在电解装置中，以C作为阳极，反应温度控制在1000℃，在经过一段时间的电解反应后，Si单质 新品种上市前瞻“硅言片语”系列二：多晶硅工艺与设备改良西门子法多晶硅生产的西门子工艺，其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。改良西门子工艺是在传统的西门子工艺的基础上，同时具备节能、降耗、回收利用生产过程中伴随产生的 改良西门子法 百度百科
用于包装粉碎的多晶硅材料的方法和装置的制作方法
本发明涉及用于包装粉碎的多晶硅材料的方法和装置。賴駄多晶体硅(多晶硅)通常通过西门子方法由三氯硅烷沉积得到，然后，对太阳能工业中的应用而言，通常再进行低污染的粉碎，对半导体工业中的应用而言，则再进行粉碎和随后的部分清洁。取决于计划的应用，这样得到的粉碎的多晶硅 2024年12月23日 三氯氢硅的纯度 要求 在多晶硅生产中，三氯氢硅作为太阳能级多晶硅原料之一，其使用含量虽无具体标准，但杂质控制却至关重要。企业通常要求B＜01ppbw、P＜1ppbw、Fe＜50ppbw、C＜1ppmw。高含量的P、B在高温环境下易产生副反应，析出的P、B会 多晶硅制备过程中影响质量的关键因素杂质控制是多晶硅研究的重点之一，因为杂质对多晶硅 电子性能的影响十分显著。目前的研究主要集中在减少杂质含量、改善杂质分布和控制杂质降解等方面。晶粒控制是另一个重要的研究方向，因为晶粒尺寸对多晶硅的导电性能和光学性能有着重要的 多晶硅的生产工艺及研究 百度文库2023年5月12日 选择纯度较好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎2022年9月20日 之后，将粗硅进行提纯，尽可能去除其中的各种杂质，即可获取我们所需的高纯多晶硅。而在这一工序中，采用不同的提纯方法可以得到用于制备硅单晶的 电子级高纯多晶硅，也可得到用于生产太阳能电池的 太阳能级多晶硅。认识半导体VIII——半导体级多晶硅的制备 知乎2010年12月24日 摘要： 电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一，其杂质含量的高低直接影响下游晶圆制造产品质量，所以对其制造过程的金属杂质含量的控制至关重要，本文主要从制造无金属污染的自动设备的技术指标和设计难点入手，研究了多晶硅表面电子级多晶硅破碎技术及其设备百度文库
用于包装粉碎的多晶硅材料的方法和装置的制作方法
本发明涉及用于包装粉碎的多晶硅材料的方法和装置。賴駄多晶体硅(多晶硅)通常通过西门子方法由三氯硅烷沉积得到，然后，对太阳能工业中的应用而言，通常再进行低污染的粉碎，对半导体工业中的应用而言，则再进行粉碎和随后的部分清洁。取决于计划的应用，这样得到的粉碎的多晶硅 2010年2月20日 测量三氯氢硅纯度及杂质用什么仪器为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑反应温度为测量三氯氢硅纯度及杂质用什么仪器百度知道2024年4月7日 冶金法的主要工艺是选择纯度较好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，除去硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中除去硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，之后除 【原创】 太阳能级多晶硅生产工艺现状与发展 中国 2024年2月27日 电子级多晶硅是指纯度在9N（硅含量99%）以上的多晶硅产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料 与进一步加工，但其过大的表面积使得其在生产加工的过程中与空气接触较为频繁，易受到污染，一般情况下纯度 多晶硅：晶硅光伏核心原材料 百家号2011年9月13日 硅光伏电池衬底的杂质含量对电池性能起决定 性作用。合格衬底中，除c、O、H三种杂质外，B、P、Fe、Ca、Ti、m、C、Na等杂质浓度应低于1．0×10一。其他杂质浓度应低于1．0×10一，这种纯度多晶硅 称为太阳能级硅(SOG—Si)。工业金属硅的纯度约为冶金法制备太阳能级多晶硅的原理2021年3月26日 首先，将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中，由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块（lump）状以便于熔融。硅的熔点大约为1420℃，因此炉内要用石墨隔热材料，炉壁要用水冷等隔热散热。从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程
光伏多晶硅料为何需要破碎？如何破碎？ 中国粉体网
2023年5月27日 中国粉体网讯 当前，在光伏多晶硅原料的生产行业中，大多采用的是改良西门子法生产工艺，改良西门子法主要涉及5个环节，提纯以及尾气回收、其他氢化物的分离、硅合成、还原等技术，经过改良之后的方法具备安全性，能够制备高纯度的多晶硅，和其他方法相比，转换 酸洗法：冶炼级硅粉碎后用酸洗去金属杂质， 再以真空蒸除水份，提高硅纯度。 鼓泡法：将氯气和氧的混合气体吹入熔硅， 硅中多数金属杂质能与氯反应生成易挥发的 卤化物，达到提纯的目的。然后再鼓入氩气 以赶走剩余的氯 第4章单晶硅及其杂质和缺陷 百度文库用于制造经分级的髙纯度多晶硅碎片的方法和装置絲领^本发明涉及用于制造经分级的高纯度多晶硅的方法和装置。背景技术高纯度多晶硅，下称多晶硅，尤其用作制造电子器件和太阳能电池的起始材料。它通过含硅气体或含硅气体混合物的热分解而获得。该方法称为化学气相沉积(CVD)。在大 用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法和装置的制作方法酸洗法：冶炼级硅粉碎后用酸洗去金属杂质， 再以真空蒸除水份，提高硅纯度。 鼓泡法：将氯气和氧的混合气体吹入熔硅， 硅中多数金属杂质能与氯反应生成易挥发的 卤化物，达到提纯的目的。然后再鼓入氩气 以赶走剩余的氯 第4章单晶硅及其杂质和缺陷 百度文库2021年3月23日 为引发该反应的发生，炉内要加热至1500℃以上。这样得到的冶金级硅中由于仍含有铝（Al）、铁（Fe）及其他金属等杂质，纯度一般在98%左右，仍然不适于单晶硅的制造。因此，需要以下的反应进一步提高硅的纯度。每一个步骤提高纯度的原理。从硅石到金属硅再到高纯度硅的制作工艺 百家号多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨摘要： 多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一 ， 由于其杂质组成复杂、 含量低于常规检测方法检出限， 这就使对多晶硅中杂质含量、 分布及检测方法的研究具有重要意 义。多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库
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